Новости химической науки > Электроника из карбида кремния работает при 650 градусах

Исследователи из NASA разработали и создали новую микросхему, способную выдерживать невиданные прежде температуры.

Нагревательный элемент и квадратный чип из SiC нагреты до красного каления. Приборы из SiC уверенно демонстрируют нормальную работу при температурах вплоть до 650 C. Полупроводники на основе кремния при этих температурах теряют работоспособность. (Рисунок: © NASA

В прошлом интегрированные схемы не могли выдерживать более чем несколько часов работы при повышенной температуре, постепенно теряя производительность или разрушаясь. Разработанный в NASA чип из SiC производил непрерывные операции в течение 1700 часов при температуре 500 градусов Цельсия – прорыв, в сотни раз увеличивающий устойчивость микроэлектроники к высокотемпературным воздействиям.

Новый дифференциальный усилитель, изготовленный из карбида кремния, может оказаться весьма полезным для создания любых электронных схем, длительное действие которых должно происходить в очень горячем окружении, как например, в системах контроля над горением топлива в двигателях, электронных схемах управления буровыми скважинами и создание спускаемых аппаратов, способных исследовать поверхность Венеры.

Фил Нойдек (Phil Neudeck), инженер NASA и руководитель проекта отмечает, что новая разработка аэрокосмического агентства является уверенным шагом вперед к созданию электроники, способной выдерживать жесткие воздействия. Он добавляет, что новая технология сможет способствовать удалению дополнительного веса, создаваемого дополнительными трубами, проводами и другими деталями, требующимися для охлаждения традиционных микросхем и сенсоров у камеры горения топлива.

Источник: NASA press-release

метки статьи: #неорганическая химия, #новые материалы, #физическая химия, #химическая технология